基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响

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	基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响
	张栋; 王丽; 郭鹏; 左潇; 黄美东; 柯培玲; 汪爱英
刊名	材料研究学报
	2018
卷号	32 期号:04 页码:283-289
关键词	材料表面与界面非晶碳膜光电性能高功率脉冲磁控溅射微观结构
产权排序	天津师范大学物理与材料科学学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室浙江省海洋材料与防护技术重点实验室;
英文摘要	采用高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)工艺在单晶硅和石英基体上沉积a-C膜,研究了基体偏压对其结构和光电性能的影响。结果表明,基体偏压的变化能显著改变薄膜的微观结构。在偏压为0~-300 V条件下制备的a-C膜,sp~2的含量均为(52.5±1.5)%,基本不变。偏压为-50 V时sp~2团簇的尺寸达到最大值(约1.93 nm),薄膜的光学带隙(0.15 e V)和电阻率(0.32Ω·cm)达到最小值;偏压继续提高则sp~2团簇的尺寸先减小后增加,光学带隙和电阻率先增加后减小,符合非晶碳膜的团簇模型。HiPIMS工艺制备的非晶碳薄膜,其sp~2团簇的尺寸决定了薄膜光学和电性学能。薄膜sp~2团簇尺寸越大,则光学带隙和电阻率越小。
公开日期	2018-12-04
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16565]
专题	2018专题
推荐引用方式 GB/T 7714	张栋,王丽,郭鹏,等. 基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响[J]. 材料研究学报,2018,32(04):283-289.
APA	张栋.,王丽.,郭鹏.,左潇.,黄美东.,...&汪爱英.(2018).基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响.材料研究学报,32(04),283-289.
MLA	张栋,et al."基体偏压对HiPIMS制备非晶碳膜结构和光电性能的影响".材料研究学报 32.04(2018):283-289.