低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）

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	低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）
	王海飞; 张继伟; 梁凌燕; 周晓静; 杨新荣
刊名	低温物理学报
	2017
卷号	39 期号:06 页码:31-38
关键词	氧化锌薄膜晶体管低能亚等离子体电学特性
产权排序	邯郸学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所;邯郸城市发展投资集团有限公司;
英文摘要	采用磁控溅射室温工艺制备了底栅结构ZnO基薄膜晶体管,其介电层表面采用低能Ar等离子体处理.结构表明等离子处理提高了器件的电学性能,即阈值下降36%,亚阈值斜率减少47%,开启电压从-15V变为0V.但是,经等离子处理的器件表现出源漏电流-栅电压(IDS-VG)迟滞和阈值频移现象.这说明Ar等离子体处理在提高器件电学性能的同时会降低器件的电学稳定性.我们基于溅射损伤和态密度变化规律解释了这种矛盾,并认为介电表面的离子损伤对ZnO基薄膜晶体管的电学稳定性会产生重要影响.
公开日期	2018-12-04
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16624]
专题	2017专题
推荐引用方式 GB/T 7714	王海飞,张继伟,梁凌燕,等. 低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）[J]. 低温物理学报,2017,39(06):31-38.
APA	王海飞,张继伟,梁凌燕,周晓静,&杨新荣.(2017).低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）.低温物理学报,39(06),31-38.
MLA	王海飞,et al."低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）".低温物理学报 39.06(2017):31-38.