坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究
何庆波; 金敏; 徐家跃; 范世骥; 申慧; 谈慧祖
刊名应用技术学报
2017
期号01页码:10-13+88
英文摘要利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1 436cm-2,电阻率达107Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求.
公开日期2017-12-25
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13419]  
专题2017专题
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GB/T 7714
何庆波,金敏,徐家跃,等. 坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究[J]. 应用技术学报,2017(01):10-13+88.
APA 何庆波,金敏,徐家跃,范世骥,申慧,&谈慧祖.(2017).坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究.应用技术学报(01),10-13+88.
MLA 何庆波,et al."坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究".应用技术学报 .01(2017):10-13+88.
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