基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件

	基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件
	诸葛飞; 潘若冰; 胡丽娟; 曹鸿涛; 竺立强; 李俊; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 李康
刊名	材料科学与工程学报
	2017
期号	02 页码:232-236
英文摘要	本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。
公开日期	2017-12-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13402]
专题	2017专题
推荐引用方式 GB/T 7714	诸葛飞,潘若冰,胡丽娟,等. 基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件[J]. 材料科学与工程学报,2017(02):232-236.
APA	诸葛飞.,潘若冰.,胡丽娟.,曹鸿涛.,竺立强.,...&李康.(2017).基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件.材料科学与工程学报(02),232-236.
MLA	诸葛飞,et al."基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件".材料科学与工程学报 .02(2017):232-236.