交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法 | |
詹清峰; 荣欣; 李润伟; 刘宜伟; 张晓山 | |
2015-09-09 | |
著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
专利号 | CN104900799A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层,其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底,铁磁层具有磁致伸缩效应,从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时,该结构单元的交换偏置场发生变化,因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比,该结构单元具有柔韧性,其交换偏置场的调控手段灵活,调控方便易行,在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。 |
公开日期 | 2015-09-09 |
申请日期 | 2014-03-04 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16061] ![]() |
专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹清峰,荣欣,李润伟,等. 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法. CN104900799A. 2015-09-09. |
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