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	交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法; 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法
	詹清峰; 荣欣; 李润伟; 刘宜伟; 张晓山
	2015-09-09
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN104900799A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层，其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底，铁磁层具有磁致伸缩效应，从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时，该结构单元的交换偏置场发生变化，因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比，该结构单元具有柔韧性，其交换偏置场的调控手段灵活，调控方便易行，在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。
公开日期	2015-09-09
申请日期	2014-03-04
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16061]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	詹清峰,荣欣,李润伟,等. 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法, 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法. CN104900799A. 2015-09-09.

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