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	氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法; 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法; 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法; 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法
	曹鸿涛; 王妹; 梁凌燕; 张胜男; 罗浩; 李秀霞
	2015-10-21
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN104992981A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括：衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极均至少部分位于氧化物沟道层的上方；覆盖层位于氧化物沟道层的上方，且位于源电极和漏电极之间；其中，覆盖层为金属氧化物薄膜。其通过在氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层上方增加设置一层金属氧化物薄膜作为覆盖层，实现金属氧化物薄膜对氧化物沟道层表面态的钝化，进而有效改善氧化物薄膜晶体管的性能。同时，还简化了制备工艺，降低了生产成本。
公开日期	2015-10-21
申请日期	2015-05-26
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15946]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	曹鸿涛,王妹,梁凌燕,等. 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法, 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法, 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法, 氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法. CN104992981A. 2015-10-21.

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