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	在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元; 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元; 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元; 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元
	伊晓辉; 刘钢; 李润伟
	2017-10-03
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN107230494A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明提供了一种在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法。该方法利用电场作用下电解质材料层中的金属离子定向移动至荧光材料层，与荧光材料发生相互作用而使光子发生猝灭效应导致发光性能变化的方法实现全固态调控。通过调节电压信号能够实现可逆调控，利用该可逆调控能够实现一种全固态电信号写入光信号读出的存储方式，不但可以进行高密度的信息存储，而且还可以作为信息的无干扰和高通量传输，大大拓展了荧光材料的应用领域，具有良好的应用前景。
公开日期	2017-10-03
申请日期	2016-03-23
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15779]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	伊晓辉,刘钢,李润伟. 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元, 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元, 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元, 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元. CN107230494A. 2017-10-03.

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