| pn结及其制备方法; pn结及其制备方法; pn结及其制备方法; pn结及其制备方法 | |
| 梁凌燕; 李秀霞; 曹鸿涛; 罗浩; 刘权; 秦瑞锋 | |
| 2015-04-29 | |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 专利号 | CN104576713A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有明显的整流效应，可应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等半导体器件，扩大了氧化亚锡的应用范围。 |
| 公开日期 | 2015-04-29 |
| 申请日期 | 2014-12-31 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15633]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁凌燕,李秀霞,曹鸿涛,等. pn结及其制备方法, pn结及其制备方法, pn结及其制备方法, pn结及其制备方法. CN104576713A. 2015-04-29. |
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