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	多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件; 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件; 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件; 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件
	芦子玉; 邬苏东; 叶继春; 高平奇; 丁丽
	2017-05-10
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN106653572A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa；S3，激发所述等离子体气体源并产生等离子体，在所述等离子体环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。本发明通过将非晶硅薄膜置于中压条件下电感耦合产生的射频等离子体环境中，使得所述非晶硅薄膜进行快速退火晶化，从而在低温条件下快速制备多晶硅薄膜；本发明不仅可以使用普通玻璃等廉价衬底，从而极大的降低了制备成本，而且极大的节约了时间成本，同时还具有低沉本、大面积制备和工艺简单的优势。
公开日期	2017-05-10
申请日期	2016-12-27
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15592]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	芦子玉,邬苏东,叶继春,等. 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件, 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件, 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件, 多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件. CN106653572A. 2017-05-10.

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