一种忆阻器及其应用; 一种忆阻器及其应用; 一种忆阻器及其应用; 一种忆阻器及其应用 | |
诸葛飞; 胡令祥; 曹鸿涛 | |
2017-05-10 | |
著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
专利号 | CN106654009A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明提供了一种忆阻器,包括:依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层;所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成,其中,硫族化合物层与底电极层相接,氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合,使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压,表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用,该忆阻器表现出很好的突触可塑性,并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性,成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件。 |
公开日期 | 2017-05-10 |
申请日期 | 2016-12-19 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15583] ![]() |
专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 诸葛飞,胡令祥,曹鸿涛. 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用. CN106654009A. 2017-05-10. |
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