一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法; 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法; 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法; 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法 | |
梁凌燕; 吴卫华; 曹鸿涛; 肖鹏; 宋安然; 梁玉; 余静静; 陈涛 | |
2017-10-10 | |
著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
专利号 | CN107240544A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明公开了一种薄膜的图案化制备方法,该方法通过模板与衬底构筑微通道,利用薄膜前驱液液滴对基片的浸润作用产生的驱动力使液滴在微通道内移动而实现薄膜的图形化。本方法简便可行,适应范围广,可用于实现各类薄膜前驱液溶液或者悬浮液的图案定制。本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法,所述的薄膜晶体管的半导体沟道层、绝缘栅介质层、源漏电极层以及栅电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。本发明还公开了一种忆阻器的制备方法,所述的忆阻器的底电极层,阻变层和顶电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。 |
公开日期 | 2017-10-10 |
申请日期 | 2017-05-04 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15550] ![]() |
专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁凌燕,吴卫华,曹鸿涛,等. 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法, 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法, 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法, 一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法. CN107240544A. 2017-10-10. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论