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	一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法; 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法; 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法; 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法
	叶继春; 高平奇; 曾俞衡; 韩灿; 廖明墩; 王丹; 于静
	2016-07-13
著作权人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利号	CN105762234A
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
公开日期	2016-07-13
申请日期	2016-04-27
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15288]
专题	宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式 GB/T 7714	叶继春,高平奇,曾俞衡,等. 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法, 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法, 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法, 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法. CN105762234A. 2016-07-13.

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