GaInP GaAs InGaAsP InGaAs四结级联太阳电池的制作方法 | |
赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 | |
2017-01-25 | |
著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
专利号 | 201310176398.X |
国家 | CN |
文献子类 | 发明 |
申请日期 | 2013-05-13 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5743] |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉. GaInP GaAs InGaAsP InGaAs四结级联太阳电池的制作方法. 201310176398.X. 2017-01-25. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论