ICCD选通脉冲源的设计与实验研究

doi:10.3788/gzxb20184709.0911001

CORC > 西安光学精密机械研究所 > 中国科学院西安光学精密机械研究所 > 条纹相机工程中心

	ICCD选通脉冲源的设计与实验研究
	虎俊宇 1,2; 裴承全 1; 田进寿1 ; 王俊峰 1; 方玉熳 1,2; 温文龙 1
刊名	光子学报
	2018-09-01
卷号	47 期号:9
ISSN号	10044213
DOI	10.3788/gzxb20184709.0911001
其他题名	Design and Experimental Study of ICCD Gated Pulse Source
产权排序	1
英文摘要	基于微处理器并结合模拟延迟电路以及数字逻辑电路,设计了分辨率可达5ns、最小脉宽为65ns、频率高达1MHz、且通过上位机可以远程控制的选通脉冲源.用该脉冲源结合选通电源测试了阴极上镀有金属导电基底和没有金属导电基底的ICCD的选通快门时间.结果表明当镀有金属基底时,ICCD具有更短的开启时间.建立相应的等效电路模型和阴极开关过程满足的RC等效方程,定性分析得出阴极面电阻的减小是使得ICCD开启时间缩短的主要因素.
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6334997
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30852]
专题	条纹相机工程中心
通讯作者	田进寿
作者单位	1.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室; 2.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	虎俊宇,裴承全,田进寿,等. ICCD选通脉冲源的设计与实验研究[J]. 光子学报,2018,47(9).
APA	虎俊宇,裴承全,田进寿,王俊峰,方玉熳,&温文龙.(2018).ICCD选通脉冲源的设计与实验研究.光子学报,47(9).
MLA	虎俊宇,et al."ICCD选通脉冲源的设计与实验研究".光子学报 47.9(2018).