硼掺杂对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜高择优取向生长的影响

	硼掺杂对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜高择优取向生长的影响
	谷继腾; 杨扬; 唐永炳; 张文军
刊名	集成技术
	2017
文献子类	期刊论文
英文摘要	硼(B)掺杂金刚石薄膜因其优异的电化学性能在电化学传感领域获得了广泛的应用。文章采用微波等离子体化学气相沉积法制备硼掺杂金刚石薄膜，通过硼/碳(B/C)比例和工艺参数的调节，成功制备了具备(100)择优取向的金刚石薄膜，分析了 B 元素影响(100)晶面形成的机理，并进一步探讨了衬底温度、碳源浓度对金刚石薄膜微观形貌的影响。实验发现：B/C 比例浓度对金刚石薄膜形貌的影响要大于温度、CH4 浓度等其他参数，尤其当 B/C＝4 000 ppm 时，形成的四面体形状金刚石颗粒质量最好，晶棱清晰可见，晶面光滑平整；当 B/C 浓度恒定时，温度与 CH4 浓度对金刚石薄膜的影响都是通过影响二次形核密度实现的。研究表明，通过适合的硼掺杂比例可以实现高择优取向金刚石薄膜电极的制备。
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.siat.ac.cn:8080/handle/172644/11755]
专题	深圳先进技术研究院_集成所
作者单位	集成技术
推荐引用方式 GB/T 7714	谷继腾,杨扬,唐永炳,等. 硼掺杂对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜高择优取向生长的影响[J]. 集成技术,2017.
APA	谷继腾,杨扬,唐永炳,&张文军.(2017).硼掺杂对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜高择优取向生长的影响.集成技术.
MLA	谷继腾,et al."硼掺杂对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜高择优取向生长的影响".集成技术 (2017).