退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究

doi:BD5BE512E4E308E5FBC1145F16956D63

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	退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究
	贾慧民; 王彪; 高虹一; 王登魁; 唐吉龙; 冯源; 李洋; 李再金; 马晓辉
刊名	中国科技论文
	2017-11-23
页码	2616-2620
关键词	Gaas0.91sb0.09 分子束外延热退火光致发光局域态
DOI	BD5BE512E4E308E5FBC1145F16956D63
英文摘要	为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs_(0.91)Sb_(0.09)材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析。对40K时GaAs_(0.91)Sb_(0.09)合金光致发光谱进行分峰拟合,获得3种样品的局域能深度分别为26、31和35 meV。结果表明:退火处理使合金中As、Sb组分互扩散,合金局域能加深,但退火使GaAs_(0.91)Sb_(0.09)局域态发光比例降低,带边发光的比例提高。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58654]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	贾慧民,王彪,高虹一,等. 退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究[J]. 中国科技论文,2017:2616-2620.
APA	贾慧民.,王彪.,高虹一.,王登魁.,唐吉龙.,...&马晓辉.(2017).退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究.中国科技论文,2616-2620.
MLA	贾慧民,et al."退火对MBE生长GaAs_(0.91)Sb_(0.09)晶体质量和发光特性影响研究".中国科技论文 (2017):2616-2620.