柱式平板声子晶体点缺陷模式研究

	柱式平板声子晶体点缺陷模式研究
	黄翔宇; 刘永顺; 舒风风; 武俊峰; 吴一辉
刊名	压电与声光
	2017-04-15
页码	198-201
关键词	声子晶体柱式平板点缺陷选择性激励工艺加工
DOI	C7DBEBF65D3B769588AD164BABCAE9FA
英文摘要	柱式平板声子晶体结构有利于实现质量加载和液相检测,该文提出并制备一种柱式平板声子晶体点缺陷。采用有限元法进行禁带计算分析,仿真出该声子晶体点缺陷模式的振型。采用微机电系统(MEMS)工艺制备出硅基AlN声波传感器,通过电极构型的模式选择对选定点缺陷模式的性能进行了测试分析。结果表明,通过合理设计激励电极可获得较高频率声子晶体点缺陷模式。实验中选择激发的模式频率为7.732 MHz,其对应空气中品质因数Q=700,这为实现液相检测提供了理论基础和实验依据。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58417]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	黄翔宇,刘永顺,舒风风,等. 柱式平板声子晶体点缺陷模式研究[J]. 压电与声光,2017:198-201.
APA	黄翔宇,刘永顺,舒风风,武俊峰,&吴一辉.(2017).柱式平板声子晶体点缺陷模式研究.压电与声光,198-201.
MLA	黄翔宇,et al."柱式平板声子晶体点缺陷模式研究".压电与声光 (2017):198-201.