石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 | |
徐昌一 | |
刊名 | 发光学报
![]() |
2016-07-15 | |
期号 | 7页码:778-785 |
关键词 | 石墨烯 Gan材料 石墨烯gan接触 |
英文摘要 | 石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为继硅之后最重要的半导体材料。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机。关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究目前已经有所突破,本文简要概述了近年来石墨烯与GaN基材料接触机理方面和石墨烯应用于GaN基材料器件方面的进展状态。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57992] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐昌一. 石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J]. 发光学报,2016(7):778-785. |
APA | 徐昌一.(2016).石墨烯应用于GaN基材料的研究进展.发光学报(7),778-785. |
MLA | 徐昌一."石墨烯应用于GaN基材料的研究进展".发光学报 .7(2016):778-785. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论