光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究

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	光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究
	陈波; 李云鹏; 王孝东; 于再超; 张宏吉; 郑鑫
刊名	长春理工大学学报(自然科学版)
	2016-08-15
期号	4 页码:38-41
关键词	Ge薄膜直流磁控溅射 Ar气通入量沉积速率电学性质
英文摘要	为了研究光子计数成像系统中感应电荷层Ge薄膜的制备工艺,改善光子计数成像系统的成像稳定性,采用直流磁控溅射法在熔石英衬底上制备了Ge薄膜,分析了工作气体Ar气通入量对Ge薄膜沉积速率的影响,利用表面轮廓仪及四探针表面电阻仪对样品分别进行了表面粗糙度及电学性能的表征。结果表明:随着Ar气通入量的增加,Ge薄膜沉积速率先上升后下降,在Ar气通入量为15sccm时,Ge薄膜的沉积速率出现极大值;Ge薄膜的表面粗糙度及薄膜电阻率均随着Ar气通入量的升高而增大;薄膜越厚,其电阻受氧化影响越小,电学性能越稳定。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57895]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	陈波,李云鹏,王孝东,等. 光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究[J]. 长春理工大学学报(自然科学版),2016(4):38-41.
APA	陈波,李云鹏,王孝东,于再超,张宏吉,&郑鑫.(2016).光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究.长春理工大学学报(自然科学版)(4),38-41.
MLA	陈波,et al."光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究".长春理工大学学报(自然科学版) .4(2016):38-41.