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题名	驱动OLED的2管a-Si:H TFT 技术研究
作者	刘金娥
答辩日期	2007-01-29
文献子类	硕士
授予单位	中国科学院长春光学精密机械与物理所
授予地点	长春光学精密机械与物理所
导师	荆海
关键词	Amoled 阈值电压漂移 N/si Aim-spice 仿真 版图布图
其他题名	The Research on 2-a-Si:H TFT Driving OLED
学位专业	凝聚态物理
英文摘要	OLED作为平板显示器的后起之秀，其有源驱动显示方式的发展已成为必然。用具有液晶显示产业化基础的a-Si:H-TFT来驱动OLED显示无疑具有重大的意义。但a-Si:H-TFT一个最重要的不稳定性就是在长时间栅偏应力下阈值电压会发生漂移，因此制备高品质的a-Si:H TFT成为高质量AMOLED显示的前提。 结合863课题：“大尺寸高品质a-Si TFT OLED技术研究”，本文首先提出了a-Si:H TFT阈值电压漂移的原因：绝缘层SiNX中的电荷注入和有源层a-Si:H中亚稳态的产生。针对绝缘层SiNX中的电荷注入现象，本文利用PECVD法制作了一系列SiNX薄膜，并对其进行大量椭偏、红外吸收光谱（FTIR）及能谱测试(EDS)分析，得出了制作SiNX薄膜的最佳条件；并在此基础上制作了不同N/Si比的MIS结构电容样品，对其进行老化实验和测试，结果表明稍富氮（N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33）的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入，从一定程度上减小了驱动AMOLED的TFT阈值电压的漂移，增强了AMOLED显示的稳定性。 本文第四章利用AIM-Spice模拟了驱动AMOLED的2管a-Si:H TFT的输出特性及瞬态特性，并结合理论计算确定了电路中TFT宽长比(W/L)1=2.5、(W/L)2=25、存储电容0.8pF等关键参数，提高了像素电路输出电流；在此基础上，结合7PEP生产工艺，本文利用L-Edit设计了2管a-Si:H TFT象素电路的版图布图，制作了TFT矩阵阵列，并对其进行I-V特性测试，其开态电流达10A，开关比达106；最终实现了5.2inch AMOLED的矩阵显示，达到了很好的显示效果。
语种	中文
公开日期	2012-03-21
页码	52
内容类型	学位论文
源URL	[http://159.226.165.120//handle/181722/479]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	刘金娥. 驱动OLED的2管a-Si:H TFT 技术研究[D]. 长春光学精密机械与物理所. 中国科学院长春光学精密机械与物理所. 2007.

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