| 题名 | CH_3SiCl_3/H_2体系CVD SiC的动力学分析及沉积层组织与结构的研究 |
| 作者 | 金哲镐 |
| 答辩日期 | 1986 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 导师 | 于传瑾 |
| 英文摘要 | 本文作者采用冷壁反应器，以高纯热压石墨为衬底，温度在1100 ℃～1500 ℃，CH_3SiCl_3的浓度在3～24mmol/min的范围内，对CH_3SiCl_3/H_2系统CVD-SiC的表面过程动力学作了研究。确定了化学平衡控制、扩散控制和表面过程控制的总流量范围；测定了CH_3SiCl_3和H_2的表观反应级数；提出了表面过程控制区的反应机理，且从理论推导出在不同相区内各物质的沉积速率方程；定量解释了实验测定的动力学曲线。另外由x射线结构分析，确定了择优取向及温度对其影响；扫描电镜观察了温度和仅应剂的浓度对SiC形貌的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 37 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.165.120//handle/181722/2151]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金哲镐. CH_3SiCl_3/H_2体系CVD SiC的动力学分析及沉积层组织与结构的研究[D]. 中国科学院长春光学精密机械研究所. 中国科学院长春光学精密机械研究所. 1986. |
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