| 题名 | 共振腔增强GaInAsSb红外光电探测器研究 |
| 作者 | 李军 |
| 答辩日期 | 2004 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所 |
| 导师 | 宋航 |
| 关键词 | 红外探测器 共振腔增强 分布式布拉格反射镜 |
| 英文摘要 | 与传统PIN结构的探测器相比，共振腔增强型（ResollantCaVity-Enhanced，RCE）光电探测器能同时具有很高量子效率和很高的带宽，特别适用于高速探测中。本文对RCE光电探测器进行了研究，设计出GalnAsSb RCE器件的结构，并且对器件进行计算机模拟。用MOCVD的方法生氏出PIN结构的GalInAsSb红外探测器材料，并制作出器件。用计算机模拟出制作的器件的光谱响应，并与测量的结果进行比较。分析了共振腔增强红外探测器的特点，详细讨论了共振强增强型探测器的量子效率，并且讨论了上反射镜的吸收对器件量子效率的影响。详细讨论了共振腔对量子效率的影响，得到共振腔的品质因子Q值越大，共振腔对器件量子效率的提高也越大的结果。详细讨论了影响共振腔增强型探测器带宽的几个因素。为设计出性能良好的RCE探测器提供了理论准备。论证了GaSb／InAs四分之一波堆（QWS）作为工作在2.4μm的GalnAsSb RCE探测器中DBR的可行性，并用TMM法计算出GaSb／InAs QWS的反射率及相移。设计出一种从衬底入射的GalnAsSb RCE探测器结构，对器件的性能进行了数低模拟，并详细讨论了GaSb／InAs QWS的反射率、相移及其吸收对器件性能的影响。设计的器件具有双峰响应的特点，可作为双色探测器。用MOCVD法制作出PIN结构的GoInAsSb红外探测器材料，并且制作出探测器器件，对器件的光潜进行了测量。用计算机模拟的方法得到PIN型GalnAsSb红外探测器在500K黑体辐射源的照射下的光潜响应，并与实际的测量结果进行了比较。比较结果显示，计算结果与实验结果比较接近，其主要的不同点在于峰值位置相差0.07μm，并在长波方向上计算值偏高。这表明，用计算机模拟的方法可以得到较为准确的结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 62 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.165.120//handle/181722/2133]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李军. 共振腔增强GaInAsSb红外光电探测器研究[D]. 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所. 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所. 2004. |
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