| 题名 | 非晶氧化物薄膜晶体管特性与模型的研究 |
| 作者 | 王中健 |
| 答辩日期 | 2008-12-16 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理所 |
| 授予地点 | 长春光学精密机械与物理所 |
| 导师 | 荆海 |
| 关键词 | 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示 解析模型 局域态密度 |
| 其他题名 | The Studies of the Characters and Model for Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 英文摘要 | 由于下一代柔性显示技术发展的需求，迫切需要一种能和有源矩阵有机发光二极管（AM-OLED）以及有源矩阵电泳显示（AM-EPD）相匹配的新型薄膜晶体管（TFT）。透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐，也将是下一代显示技术所用TFT的主要选择。 论文首先阐述了AM-OLED和AM-EPD的基本特性，说明了他们在下一代显示中对TFT新的需求。然后通过介绍薄膜晶体管的发展历程，强调了其在显示领域的重要用途，同时有力地证明了TAOS-TFT的出现的必然性和重要性。文章综合地分析了TAOS-TFT制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明、阈值电压低等5方面的优势，并原创性地提出在进一步实用化过程中，TAOS-TFT还面临的材料、器件模型等方面几个重要问题。针对非晶态氧化物半导体比处于相同晶化程度的硅基半导体迁移率高出10倍以上的特性，文章较详细地做出电子结构上的分析。而局域态密度是非晶态半导体导电机理中极为重要的因素，因此也仔细研究了各种局域态分布假设，给出了详细比较，得出“指数+高斯分布”型为最佳分布模型。文章根据TAOS材料局域态分布特征，从简单到复杂，从粗略到精确地讨论了TAOS—TFT直流模型。其过程综合了薄层电荷表面势分析法以及RPI模型方法的部分思想，通过分析TAOS—TFT的物理特性在必要时候作出合理近似，对“指数+高斯函数”局域态分布进行处理，最终建立了转移特性和输出特性都与实验数据吻合比较好的解析模型。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-21 |
| 页码 | 72 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.165.120//handle/181722/1083]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王中健. 非晶氧化物薄膜晶体管特性与模型的研究[D]. 长春光学精密机械与物理所. 中国科学院长春光学精密机械与物理所. 2008. |
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