碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较

	碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较
	崔兴柱1 ; 王晓华 2; 彭文溪1 ; 乔锐1 ; 刘雅清1 ; 郭东亚1 ; 魏志鹏 2; 张凌民 1,2
刊名	核电子学与探测技术
	2016
卷号	36 期号:10 页码:1044-1048
关键词	SiC Geant4 辐射探测
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261165]
专题	高能物理研究所_实验物理中心高能物理研究所_粒子天体物理中心
作者单位	1.中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室 2.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	崔兴柱,王晓华,彭文溪,等. 碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较[J]. 核电子学与探测技术,2016,36(10):1044-1048.
APA	崔兴柱.,王晓华.,彭文溪.,乔锐.,刘雅清.,...&张凌民.(2016).碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较.核电子学与探测技术,36(10),1044-1048.
MLA	崔兴柱,et al."碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较".核电子学与探测技术 36.10(2016):1044-1048.