基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件 | |
张峰1,2; 刘畅2; 黄鲁2; 吴宗国1 | |
刊名 | 浙江大学学报(工学版) |
2017-08 | |
卷号 | 51期号:8页码:1676-1680 |
关键词 | 静电放电(Esd) 双向可控硅(Ddscr) Tcad仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流 |
英文摘要 | 针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广. |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ia.ac.cn/handle/173211/15345] |
专题 | 自动化研究所_国家专用集成电路设计工程技术研究中心 |
作者单位 | 1.中国科学院自动化研究所 2.中国科学技术大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张峰,刘畅,黄鲁,等. 基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件[J]. 浙江大学学报(工学版),2017,51(8):1676-1680. |
APA | 张峰,刘畅,黄鲁,&吴宗国.(2017).基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件.浙江大学学报(工学版),51(8),1676-1680. |
MLA | 张峰,et al."基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件".浙江大学学报(工学版) 51.8(2017):1676-1680. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论