一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法

	一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法
	王德强; 应翠凤; 黄绮梦; 张月川; 冯艳晓
	2018-09-21
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2015107499886
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法，包括S1：测量薄膜两端的IV曲线，通过Labview程序线性拟合获得薄膜两端的电阻值；S2：通过圆柱模型的纳米孔电导率公式，薄膜两端的电导率可估算出小孔的孔径，进而实时输出；S3：对比测量小孔孔径与目标孔径的关系，决定下一步脉冲电压的强度V_output；本发明具有成本低、系统操作简单、操作全自动、纳米孔大小可调节、尺寸控制精度高等特点，可制备2.5nm以上任意尺寸的纳米孔，尺寸精度可控制在±0.5nm以内；在下一代DNA测序仪器开发，单分子检测以及癌症等医学检测领域具有非常好的应用前景。
分类号	C12q1/68(2018.01)i
申请日期	2015-11-06
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6609]
专题	精准医疗单分子诊断技术研究中心
作者单位	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	王德强,应翠凤,黄绮梦,等. 一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法. 2015107499886. 2018-09-21.