一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法

	一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法
	杨俊; 王婧 ; 钱彦雄; 彭进才; 汤林龙; 冷重钱; 罗伟; 陆仕荣; 魏兴战; 史浩飞
	2018-10-23
著作权人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号	2015109984481
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法，所述透明电极为四层结构，自下而上依次为透明基底(1)、成核籽晶层(2)、超薄金属层(3)、减反增透层(4)；该透明电极的制备步骤包括：将透明基底进行清洗并烘干；在透明基底上沉积作为成核籽晶层；通过真空蒸镀或者电子束沉积或者磁控溅射沉积的方式在成核籽晶层上沉积超薄金属；通过溶液旋涂或者溶液刮涂或者真空蒸镀或者磁控溅射沉积的方式在超薄金属上面沉积减反增透层。本发明的透明电极具有生产成本低、工艺简单、易于柔性集成、稳定性高、表面形态好等特点。
分类号	H01l51/44(2006.01)i
申请日期	2015-12-28
语种	中文
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6746]
专题	微纳制造与系统集成研究中心
作者单位	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨俊,王婧 ,钱彦雄,等. 一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法. 2015109984481. 2018-10-23.