Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算

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	Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算
	李大伟 ; 高云亮 ; 朱芫江 ; 李进平
刊名	计算物理
	2017-10-19
卷号	35 期号:4 页码:487-493
关键词	Ga掺杂 δ-Pu 晶体结构电子结构密度泛函理论
ISSN号	1001-246X
英文摘要	δ-Pu为Pu的高温相,掺杂少量的Ga即可使其在室温下稳定存在.本文采用密度泛函理论方法,对不同掺杂量体系进行晶体结构和电子结构计算,主要包括体系的晶格常数、密度、形成能、态密度、电荷密度和Mulliken布居分析.结果表明:在研究范围内,Ga掺杂后,体系晶格常数降低,密度增大,6.25%(原子百分比,下同)掺杂量体系的稳定性高于3.125%和12.5%掺杂量的体系;Ga掺杂使得Pu周围体系电子的局域性增强,成键能力增强,揭示了Ga稳定δ-Pu的电子机制.Ga和Pu之间为金属键,发生的作用主要由Pu的7s、 6p、 6d和Ga的4s、 4p轨道电子贡献,但这种成键作用相对较弱,使得掺杂体系可以保持原有的力学性能和机械加工性能.Ga对δ-Pu的稳定作用主要在于改善Pu原子的成键性能,而不是与Pu原子直接成键.
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6297053
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/77745]
专题	力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室
作者单位	1.火箭军工程大学 2.中国科学院力学研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李大伟,高云亮,朱芫江,等. Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算[J]. 计算物理,2017,35(4):487-493.
APA	李大伟,高云亮,朱芫江,&李进平.(2017).Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算.计算物理,35(4),487-493.
MLA	李大伟,et al."Ga掺杂δ-Pu的密度泛函理论计算".计算物理 35.4(2017):487-493.