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	韩方明 孟国文 胡小晔 赵相龙 吴兵
	2013
专利国别	中国
专利号	CN 103219152 A
专利类型	发明
权利人	中国科学院
申请日期	2013
专利申请号	201310153962.6
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21146]
专题	合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所
作者单位	中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路 350 号
推荐引用方式 GB/T 7714	韩方明 孟国文 胡小晔 赵相龙 吴兵. 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法, 基于纳米电极的静电电容器及其制备方法. CN 103219152 A. 2013-01-01.

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