题名 | InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究 |
作者 | 魏林程 |
答辩日期 | 2018-06-02 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 王晓亮 |
学位专业 | 材料物理与化学 |
公开日期 | 2018-06-14 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28545] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏林程. InGaN/InAlN/GaN 异质结模拟研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论