Anomalous resistivity upturn in epitaxial L21-Co2MnAl films | |
L. J. Zhu; J. H. Zhao | |
刊名 | Scientific Reports
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2017 | |
卷号 | 7页码:42931 |
学科主题 | 半导体物理 |
公开日期 | 2018-07-02 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28681] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | L. J. Zhu,J. H. Zhao. Anomalous resistivity upturn in epitaxial L21-Co2MnAl films[J]. Scientific Reports,2017,7:42931. |
APA | L. J. Zhu,&J. H. Zhao.(2017).Anomalous resistivity upturn in epitaxial L21-Co2MnAl films.Scientific Reports,7,42931. |
MLA | L. J. Zhu,et al."Anomalous resistivity upturn in epitaxial L21-Co2MnAl films".Scientific Reports 7(2017):42931. |
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