电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征

	电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征
	张瑞峰 ; 于亚莉 ; 孙玉茹 ; 李文范
刊名	真空科学与技术
	1992
卷号	12 期号:1 页码:32-36
ISSN号	1672-7126
中文摘要	研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10~(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度N是1.51×10~(17)cm~(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2011-01-19 ; 2011-06-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/37797]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张瑞峰,于亚莉,孙玉茹,等. 电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征[J]. 真空科学与技术,1992,12(1):32-36.
APA	张瑞峰,于亚莉,孙玉茹,&李文范.(1992).电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征.真空科学与技术,12(1),32-36.
MLA	张瑞峰,et al."电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征".真空科学与技术 12.1(1992):32-36.