成键和极化对电子云扩大效应的影响

	成键和极化对电子云扩大效应的影响
	高发明 ; 张思运
刊名	化学物理学报
	1993
卷号	6 期号:4 页码:321-327
ISSN号	1003-7713
通讯作者	张思运
中文摘要	本文研究了不同晶体中过渡元素的电子云扩大效应参数β(β=1-k·h),发现它与配位体数目N,配位体和全属离子化学健的共价性f_c及配位体的键城极化率d_L有关,给出h参数的表达式:h=(f_c·α_L·N)~(1/2),最后计算了若干晶体的h值和Cr~(3+),Co~(2+),Ni~(2+),Mn~(2+),Ti~(2),V~(2+),Cr~(2+),Fe~(2+)等离子的k值。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2011-01-19 ; 2011-06-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36907]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	高发明,张思运. 成键和极化对电子云扩大效应的影响[J]. 化学物理学报,1993,6(4):321-327.
APA	高发明,&张思运.(1993).成键和极化对电子云扩大效应的影响.化学物理学报,6(4),321-327.
MLA	高发明,et al."成键和极化对电子云扩大效应的影响".化学物理学报 6.4(1993):321-327.