Electrical properties and annealing effects of MZOS structure | |
Kang, Xiaohu; He, Shanhu; Sang, Baosheng | |
刊名 | 半导体学报
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1997-12-08 | |
卷号 | 18期号:12页码:926-930 |
关键词 | 电学性质 退火效应 MZOS 轴对称性 电荷密度 电子能谱 高温退火 界面态密度 衍射分析 低温退火 Piezoelectric films Zinc oxide film |
ISSN号 | 0253-4177 |
其他题名 | MZOS结构的电学性质及退火效应 |
通讯作者 | Kang, Xiaohu |
中文摘要 | 本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析.发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果. |
学科主题 | Semiconducting Materials;Semiconductor Devices and Integrated Circuits;Acoustic Properties of Materials; |
收录类别 | EI ; CSCD |
出版地 | BEIJING |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/161554] ![]() |
专题 | 基础医学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Kang, Xiaohu,He, Shanhu,Sang, Baosheng. Electrical properties and annealing effects of MZOS structure[J]. 半导体学报,1997,18(12):926-930. |
APA | Kang, Xiaohu,He, Shanhu,&Sang, Baosheng.(1997).Electrical properties and annealing effects of MZOS structure.半导体学报,18(12),926-930. |
MLA | Kang, Xiaohu,et al."Electrical properties and annealing effects of MZOS structure".半导体学报 18.12(1997):926-930. |
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