Electrical properties and annealing effects of MZOS structure

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	Electrical properties and annealing effects of MZOS structure
	Kang, Xiaohu; He, Shanhu; Sang, Baosheng
刊名	半导体学报
	1997-12-08
卷号	18 期号:12 页码:926-930
关键词	电学性质退火效应 MZOS 轴对称性电荷密度电子能谱高温退火界面态密度衍射分析低温退火 Piezoelectric films Zinc oxide film
ISSN号	0253-4177
其他题名	MZOS结构的电学性质及退火效应
通讯作者	Kang, Xiaohu
中文摘要	本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．
学科主题	Semiconducting Materials;Semiconductor Devices and Integrated Circuits;Acoustic Properties of Materials;
收录类别	EI ; CSCD
出版地	BEIJING
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/161554]
专题	基础医学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Kang, Xiaohu,He, Shanhu,Sang, Baosheng. Electrical properties and annealing effects of MZOS structure[J]. 半导体学报,1997,18(12):926-930.
APA	Kang, Xiaohu,He, Shanhu,&Sang, Baosheng.(1997).Electrical properties and annealing effects of MZOS structure.半导体学报,18(12),926-930.
MLA	Kang, Xiaohu,et al."Electrical properties and annealing effects of MZOS structure".半导体学报 18.12(1997):926-930.