Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应

	Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应
	曹博; 包良满; 李公平; 何山虎
刊名	真空与低温
	2006-09-15
期号	3 页码:137-141
关键词	薄膜扩散界面反应硅化物
中文摘要	室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜。采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu.SiO2.Si(100)体系的扩散和界面反应。RBS分析得出:对于Cu.SiO2.Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成。这比已有文献报道的温度低。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130928]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曹博,包良满,李公平,等. Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应[J]. 真空与低温,2006(3):137-141.
APA	曹博,包良满,李公平,&何山虎.(2006).Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应.真空与低温(3),137-141.
MLA	曹博,et al."Cu/SiO_2/Si(100)体系中Cu和Si的扩散和界面反应".真空与低温 .3(2006):137-141.