载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼

	载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼
	李公平; 张小东; 丁宝卫; 丁印锋; 刘正民; 朱德彰; 张志滨; 包良满
刊名	核技术
	2005-03-10
卷号	28 期号:3 页码:221-223
关键词	钼团簇束单晶硅碰撞沉积二硅化钼(MoSi2)
ISSN号	0253-3219
其他题名	Synthesis of MoSi2 by energetic molybdenum cluster beam deposited on monocrystalline silicon at room temperature
中文摘要	用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生 Mon 团簇束,当团簇束分别在偏压为 0、1、3、5、10 kV 的–电场中加速后,沉积在室温下的 P 型 Si(111)衬底上,获得 Mo/Si(111)薄膜样品。用 XRD 分析表明,在室温下,偏压≤5 kV 团簇束沉积和常规磁控溅射沉积获得的 Mo/Si(111) 样品,其界面均无二硅化钼(MoSi2)生成;偏压=10 kV 时,团簇束沉积其界面直接有 MoSi2生成。对于团簇束沉积,当偏压大于一定值时(在本实验条件下偏压≥3 kV),薄膜才开始以 Mo(110)择优取向生长。
出版地	BEIJING
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130909]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李公平,张小东,丁宝卫,等. 载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼[J]. 核技术,2005,28(3):221-223.
APA	李公平.,张小东.,丁宝卫.,丁印锋.,刘正民.,...&包良满.(2005).载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼.核技术,28(3),221-223.
MLA	李公平,et al."载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼".核技术 28.3(2005):221-223.