1.30-2.21 MeV质子在硅一的160°散射截面测量

	1.30-2.21 MeV质子在硅一的160°散射截面测量
	李公平; 张小东; 刘正民
刊名	原子核物理评论
	2002-03-30
期号	1 页码:39-41
关键词	质子背散射截面
中文摘要	采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪 .实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区 ,测量结果与以前发表的结果进行了比较 .所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考 .
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130875]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李公平,张小东,刘正民. 1.30-2.21 MeV质子在硅一的160°散射截面测量[J]. 原子核物理评论,2002(1):39-41.
APA	李公平,张小东,&刘正民.(2002).1.30-2.21 MeV质子在硅一的160°散射截面测量.原子核物理评论(1),39-41.
MLA	李公平,et al."1.30-2.21 MeV质子在硅一的160°散射截面测量".原子核物理评论 .1(2002):39-41.