NaI(T1)-HPeγ-γ符合谱仪系统死时间校正方法 | |
仇九子; 王书志 | |
刊名 | 核电子学与探测技术 |
1996-05-20 | |
期号 | 3页码:3 |
关键词 | γ-γ符合谱仪 死时间 校正因子 |
ISSN号 | 0258-0934 |
中文摘要 | 本文讨论了NaI(TI)-HPGcγ-γ符合谱仪系统死时间的校正方法。用双源法分别对符合道和分析道的死时间进行了测量,给出了γ-γ符合谱仪系统死时间校正因子的计算公式。并将该公式应用于核数据的测量工作中,对测量的γ活性进行了死时间的校正。 |
出版地 | Beijing |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130750] |
专题 | 核科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇九子,王书志. NaI(T1)-HPeγ-γ符合谱仪系统死时间校正方法[J]. 核电子学与探测技术,1996(3):3. |
APA | 仇九子,&王书志.(1996).NaI(T1)-HPeγ-γ符合谱仪系统死时间校正方法.核电子学与探测技术(3),3. |
MLA | 仇九子,et al."NaI(T1)-HPeγ-γ符合谱仪系统死时间校正方法".核电子学与探测技术 .3(1996):3. |
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