用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度 | |
戴宏毅; 杨化中; 苏桐龄 | |
刊名 | 国防科技大学学报 |
1996-02-15 | |
期号 | 1页码:6 |
关键词 | 蒙特卡罗模拟 T(d n)~4He中子源 直接模拟法 透射比 慢化 |
中文摘要 | 文中使用蒙特卡罗方法,模拟了300keV氘束流T(d,n)4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律;对计算结果进行解释和分析,得出将中子能量从14MeV慢化到1MeV以下所需的最佳屏蔽厚度。所得结果与国际上同类屏蔽体所取参数相一致,具有一定的应用参考价值。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130746] |
专题 | 核科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴宏毅,杨化中,苏桐龄. 用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度[J]. 国防科技大学学报,1996(1):6. |
APA | 戴宏毅,杨化中,&苏桐龄.(1996).用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度.国防科技大学学报(1),6. |
MLA | 戴宏毅,et al."用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度".国防科技大学学报 .1(1996):6. |
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