快重离子束引起的的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应

	快重离子束引起的的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应
	刘正民; 杨坤山; 杨化中; 裘元勋
刊名	核技术
	1990-09-28
期号	9 页码:519-522
关键词	增强附着阈值微裂
ISSN号	0253-3219
中文摘要	对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130484]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘正民,杨坤山,杨化中,等. 快重离子束引起的的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应[J]. 核技术,1990(9):519-522.
APA	刘正民,杨坤山,杨化中,&裘元勋.(1990).快重离子束引起的的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应.核技术(9),519-522.
MLA	刘正民,et al."快重离子束引起的的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应".核技术 .9(1990):519-522.