质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离

	质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离
	刘兆远; 马树勋; 杨坤山; 张华林; 陈熙萌; 季媛
刊名	原子与分子物理学报
	1990-12-31
期号	S1 页码:190
关键词	质子轰击:7532 电离子:3435 内壳层:2812 现代物理:2635 产生截面:2152 电离截面:2137 R理论:1801 兰州大学:1500 薄靶:1134 测量带:788
中文摘要	测量带电离子引起的原子内壳层电离截面,越来越激起人们的兴趣。质子轰击重靶,直接库仑电离是主要机制。在诸多内壳层中,K和L壳层的电离,在实验和理论两个方面都进行了较多的研究。有关M壳层的实验数据则很缺乏,并且已有的各家数据间分歧很大。实验结果与ECPSSR理论预言值符合得很差。本工作利用0.6—2.75MeV质子轰击Ta、Au和Bi的薄靶,测量M壳层的X—线产生截面并得到M—壳层的电离截面,实验结果与PWBA理论预期值作了化较。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130448]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兆远,马树勋,杨坤山,等. 质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离[J]. 原子与分子物理学报,1990(S1):190.
APA	刘兆远,马树勋,杨坤山,张华林,陈熙萌,&季媛.(1990).质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离.原子与分子物理学报(S1),190.
MLA	刘兆远,et al."质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离".原子与分子物理学报 .S1(1990):190.