质子轰击Dy和Ho引起的L-亚壳层电离

	质子轰击Dy和Ho引起的L-亚壳层电离
	刘兆远; 蔡晓红; 马树勋; 柳纪虎; 冯嘉祯; 刘绍湘
刊名	原子与分子物理学报
	1989-10-01
期号	3 页码:1068-1072
关键词	亚壳层:8450 质子轰击:4024 电离截面:2585 现代物理:1159 R理论:1057 能谱:950 兰州大学:880 入射质子:774 产生截面:710 荧光产额:676
中文摘要	用0.4-3.OMeV质子轰击Dy和Ho靶,测得L-亚壳层的x-线产生截面。利用亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的理论值,得到2S_(1/2)、2P_(1/2)和2P_(3/2)亚壳层的电离截面。实验测得的电离截面以及它们的比值随入射质子能量变化的规律与ECPSSR理论预言值进行了比较。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130416]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兆远,蔡晓红,马树勋,等. 质子轰击Dy和Ho引起的L-亚壳层电离[J]. 原子与分子物理学报,1989(3):1068-1072.
APA	刘兆远,蔡晓红,马树勋,柳纪虎,冯嘉祯,&刘绍湘.(1989).质子轰击Dy和Ho引起的L-亚壳层电离.原子与分子物理学报(3),1068-1072.
MLA	刘兆远,et al."质子轰击Dy和Ho引起的L-亚壳层电离".原子与分子物理学报 .3(1989):1068-1072.