硅半导体二重符合反冲质子望远镜

	硅半导体二重符合反冲质子望远镜
	王学智; 杨成
刊名	原子能科学技术
	1989-05-01
期号	4 页码:1-7
关键词	二重符合反冲质子望远镜比对
ISSN号	1000-6931
中文摘要	文章叙述半导体二重符合反冲质子望远镜的调试和在14MeV中子源上与伴随粒子法的比对测量。
出版地	Beijing
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130411]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王学智,杨成. 硅半导体二重符合反冲质子望远镜[J]. 原子能科学技术,1989(4):1-7.
APA	王学智,&杨成.(1989).硅半导体二重符合反冲质子望远镜.原子能科学技术(4),1-7.
MLA	王学智,et al."硅半导体二重符合反冲质子望远镜".原子能科学技术 .4(1989):1-7.