Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱

	Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱
	宋桂兰 ; 尤洪鹏 ; 洪广言 ; 曾小青 ; 甘树才 ; 金昌弘 ; 卞钟洪 ; 庾炳容 ; 裴贤淑 ; 权一亿 ; 朴哲熙
刊名	发光学报
	2000
卷号	21 期号:2 页码:145-149
关键词	Y1.95-xGdxSiO5: Eu0.05 真空紫外光谱基质吸收带
ISSN号	1000-7032
中文摘要	利用高温固相法合成了Ｙ１．９５－ｘＧｄｘＳｉＯ５：Ｅｕ０．０５（ｘ＝０．６ｍｏｌ％）荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５相，空间群为Ｂ２／ｂ。真空紫外光谱表明：随着Ｇｄ３＋含量的增加，在１９２ｕｍ附近，出现了Ｇｄ＋的激发峰，且此峰的强度随着Ｇｄ３＋含量的增加而增大；同时位于１５０～１８５ｎｍ之间的基质吸收带的强度也增大；而位于２００～３００ｎｍ之间的Ｅｕ的电行迁移带的强度却随着Ｇｄ３＋含量的增加而降低。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2010-11-04 ; 2011-06-09
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/19981]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	宋桂兰,尤洪鹏,洪广言,等. Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱[J]. 发光学报,2000,21(2):145-149.
APA	宋桂兰.,尤洪鹏.,洪广言.,曾小青.,甘树才.,...&朴哲熙.(2000).Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱.发光学报,21(2),145-149.
MLA	宋桂兰,et al."Y_(1.95-x)Gd_xSiO_5:Eu_(0.05)的真空紫外光谱".发光学报 21.2(2000):145-149.