直流磁控溅射制备Cu3N薄膜及其热稳定的影响

	直流磁控溅射制备Cu3N薄膜及其热稳定的影响
	张广安; 吴志国; 范晓彦; 闫鹏勋
	2007-09-01
会议名称	第十六届全国半导体物理学术会议
关键词	氮化铜结构热稳定性
页码	1
中文摘要	氮化铜是一种以共价键结合的3d 型过渡金属氮化物材料,其较高的电阻率、较低的热分解温度和独特的光电特性在光存储器件和高速集成电路应用方面备受瞩目。本文采用柱状靶直流磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用 XRD 和 SEM 分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理
会议录	第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107995]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张广安,吴志国,范晓彦,等. 直流磁控溅射制备Cu3N薄膜及其热稳定的影响[C]. 见:第十六届全国半导体物理学术会议.