稀土铽(Tb)掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光

	稀土铽(Tb)掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光
	王涛; 潘孝军; 张振兴; 李晖; 谢二庆
	2007-08-01
会议名称	第11届全国发光学学术会议
关键词	GaN薄膜 Tb 温度猝灭衬底温度溅射制备溅射沉积发光材料光致发光半导体材料高纯镓
页码	1
中文摘要	稀土掺杂半导体发光是稀土4f 内层电子跃迁发光,亮度高、寿命长、效率高,受外界环境因素影响小。发光的光谱范围从紫外、可见到近红外,在光通信、平面显示、照明、光存储等领域具有广泛的应用。从上个世纪60年代起,人们就尝试在半导体材料中掺入各种稀土离子,以期获得不同波长的发光材料,但结果是令人沮丧的,所制备的样品发光效率低、温度猝灭现象严重,多年来在此领域一直没有取得重大突破。理论研究表明,半导体材料的带隙越宽,温度猝灭效应越低。晶体 GaN 的带隙宽度为3．4 eV,是一种直接宽带隙半导体材料,这非常有利于稀土离子的掺杂发光。最近,稀土掺杂 GaN 外延薄膜的成功制备,引起了人们的极大关注。结果表...
会议录	第11届全国发光学学术会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107972]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王涛,潘孝军,张振兴,等. 稀土铽(Tb)掺杂纳米晶GaN薄膜的室温可见发光[C]. 见:第11届全国发光学学术会议.