室温溅射制备的α-SiCN:H膜的结构和光电特性研究

	室温溅射制备的α-SiCN:H膜的结构和光电特性研究
	吴现成; 王印月
	1998-08-01
会议名称	材料科学与工程技术——中国科协第三届青年学术年会
关键词	反应溅射光电特性
页码	3
中文摘要	本文通过光吸收谱[α(λ)]、电子自旋共振谱(ESR)和电导谱研究了室温下反应溅射方法制备的氢化非晶硅碳氮薄膜(α-SiCN:H)的结构和光电特性。在固定甲烷流量γ_(CH_4)=3%,氢气流量γ_(H_2)=12%的情况下改变 N_2气流量(0～14%),研究了暗电导σ_D、光学带隙 E_(opt)、自旋密度 N_s 等随γ_(N_2)的变化关系,发现薄膜结构和特性受γ_(N_2)的明显调制,当γ_(N_2)～5%左右时,膜结构和特性均有突变。我们对上述结果进行了较深入的分析。
会议录	材料科学与工程技术——中国科协第三届青年学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107960]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吴现成,王印月. 室温溅射制备的α-SiCN:H膜的结构和光电特性研究[C]. 见:材料科学与工程技术——中国科协第三届青年学术年会.