纳米结构Cu_3N薄膜的直流磁控溅射法制备及其特性

	纳米结构Cu_3N薄膜的直流磁控溅射法制备及其特性
	吴志国; 张伟伟; 白利峰; 陈强; 吴现成
	2002-10-01
会议名称	2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会
关键词	Cu_3N薄膜柱状靶多弧直流磁控溅射
页码	5
中文摘要	采用柱状靶多弧直流磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备了Cu_3N薄膜。用X射线衍射方法研究了不同氮气分压对Cu_3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响。XRD测试结果显示薄膜由准ReO_3结构的Cu_3N纳米晶构成。氮气分压(N_2/N_2+Ar)较低时,薄膜优先沿[111]晶向生长,随着氮气分压的增加,Cu_3N薄膜由[111]晶向的优先生长逐渐转向[100]晶向的优先生长。这种优先生长可以认为是由于氮气压不同导致的铜的氮化率变化引起的。用AFM对薄膜表面形貌进行了表征,膜表面比较光滑。用XPS进行了薄膜表面的成分分析。Cu_3N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在。Cu_3N的Cu2p_3/2...
会议录	2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107934]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吴志国,张伟伟,白利峰,等. 纳米结构Cu_3N薄膜的直流磁控溅射法制备及其特性[C]. 见:2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会.