P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制

	P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制
	董茂军; 陶春兰; 孙硕; 李建丰; 欧谷平; 张福甲
	2007-11-01
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议
关键词	有机场效应晶体管并五苯迁移率
页码	2
中文摘要	以 P++硅为衬底,热生长 SiO_2为栅绝缘层, 真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层,射频磁控溅射金作为源、漏电极,成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管(OFETs)．测试表明在源漏电压为70V 时,器件的载流子迁移率μ为：0．31cm~2/V．s．
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107837]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	董茂军,陶春兰,孙硕,等. P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议.