IR studies of SiCN films deposited by RF sputtering method | |
Chen, Zhiyong; Lin, Hongfeng; Zhou JY(周金元); Ma, Ziwei; Xie EQ(谢二庆) | |
刊名 | Journal of Alloys and Compounds
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2009-11-13 | |
卷号 | 487期号:1-2页码:531-536 |
ISSN号 | 0925-8388 |
学科主题 | 凝聚态物理 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/185703] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
作者单位 | 兰州大学物理科学与技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, Zhiyong,Lin, Hongfeng,Zhou JY,et al. IR studies of SiCN films deposited by RF sputtering method[J]. Journal of Alloys and Compounds,2009,487(1-2):531-536. |
APA | Chen, Zhiyong,Lin, Hongfeng,Zhou JY,Ma, Ziwei,&Xie EQ.(2009).IR studies of SiCN films deposited by RF sputtering method.Journal of Alloys and Compounds,487(1-2),531-536. |
MLA | Chen, Zhiyong,et al."IR studies of SiCN films deposited by RF sputtering method".Journal of Alloys and Compounds 487.1-2(2009):531-536. |
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